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LL4006G L0 Image

Taiwan Semiconductor Corporation LL4006G L0

Numero parte MFG
LL4006G L0
quantità disponibile
98750 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.061176
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Data di spedizione
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fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione
- DIODE GEN PURP 800V 1A MELF
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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LL4006G L0 specificazioni

codice articolo del costruttore LL4006G L0
Numero di parte futuro FT-LL4006G L0
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
LL4006G L0 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 800V
Corrente: media rettificata (Io) 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 800V
Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso DO-213AB, MELF
Pacchetto dispositivo fornitore MELF
Temperatura operativa - Giunzione -65°C ~ 150°C
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
LL4006G L0 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio LL4006G L0-FT

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