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codice articolo del costruttore | LHLZ06TB4R7M |
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Numero di parte futuro | FT-LHLZ06TB4R7M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LH, LZ Type |
LHLZ06TB4R7M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.1A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 55 mOhm Max |
Q @ Freq | 20 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 28MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.307" Dia (7.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.433" (11.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LHLZ06TB4R7M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LHLZ06TB4R7M-FT |
LHL16NB152J
Taiyo Yuden
LHL16NB221K
Taiyo Yuden
LHL16NB222J
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XA6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation