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codice articolo del costruttore | LHL10TB683J |
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Numero di parte futuro | FT-LHL10TB683J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LH, L Type |
LHL10TB683J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 68mH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 35mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 200 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 79.6kHz |
Frequenza - Autorisonante | 95kHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.433" Dia (11.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.551" (14.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LHL10TB683J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LHL10TB683J-FT |
LHL10NB104J
Taiyo Yuden
LHL10NB120K
Taiyo Yuden
LHL10NB121K
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LHL10NB122J
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LHL10NB123J
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LHL10NB152J
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LHL10NB153J
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel