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codice articolo del costruttore | LHL10NB8R2M |
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Numero di parte futuro | FT-LHL10NB8R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LH, L Type |
LHL10NB8R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 8.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.3A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 31 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 24MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.433" Dia (11.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.551" (14.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LHL10NB8R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LHL10NB8R2M-FT |
LHL08NB820K
Taiyo Yuden
LHL08NB821K
Taiyo Yuden
LHL08NB822J
Taiyo Yuden
LHL08NB8R2M
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LHL08TB100K
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LHL08TB101K
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LHL08TB120K
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LHL08TB121K
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LHL08TB122J
Taiyo Yuden
LHL08TB123J
Taiyo Yuden
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel