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codice articolo del costruttore | LHL10NB823J |
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Numero di parte futuro | FT-LHL10NB823J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LH, L Type |
LHL10NB823J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 82mH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 33mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 210 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 79.6kHz |
Frequenza - Autorisonante | 88kHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.433" Dia (11.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.551" (14.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LHL10NB823J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LHL10NB823J-FT |
LHL08NB6R8M
Taiyo Yuden
LHL08NB820K
Taiyo Yuden
LHL08NB821K
Taiyo Yuden
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LHL08TB122J
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel