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codice articolo del costruttore | LHL10NB3R9M |
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Numero di parte futuro | FT-LHL10NB3R9M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LH, L Type |
LHL10NB3R9M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 3.9µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 4.1A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 22 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 40MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.433" Dia (11.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.551" (14.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LHL10NB3R9M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LHL10NB3R9M-FT |
LHL08NB2R7M
Taiyo Yuden
LHL08NB330K
Taiyo Yuden
LHL08NB331K
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LHL08NB332J
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LHL08NB333J
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Taiyo Yuden
LHL08NB3R9M
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel