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codice articolo del costruttore | LHL08TB8R2M |
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Numero di parte futuro | FT-LHL08TB8R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LH, L Type |
LHL08TB8R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 8.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.5A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 34 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 19MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.354" Dia (9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.374" (9.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LHL08TB8R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LHL08TB8R2M-FT |
LHL08TB681K
Taiyo Yuden
LHL08NB103J
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LFE2-6SE-7TN144C
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A3P125-1TQG144
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3FG484C
Xilinx Inc.
XC7A75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484K
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290KF43I4
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
LFE3-70EA-9FN484C
Lattice Semiconductor Corporation