casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / LE25S81QETXG
codice articolo del costruttore | LE25S81QETXG |
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Numero di parte futuro | FT-LE25S81QETXG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LE25S81QETXG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH |
Dimensione della memoria | 8Mb (1M x 8) |
Frequenza di clock | 40MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 500µs |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.65V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 90°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VDFN/VSONT (6x5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LE25S81QETXG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LE25S81QETXG-FT |
IDT70825L25PF
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT70825L25PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT70825L35PF
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT70825L35PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT70825S20PF
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT70825S20PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT70825S25PF
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT70825S25PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT70825S35PF
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT70825S35PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc