casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Tiristori - SCRs - Moduli / LDR31850
codice articolo del costruttore | LDR31850 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-LDR31850 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LDR31850 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Struttura | Series Connection - SCR/Diode |
Numero di SCR, diodi | 2 SCRs |
Voltaggio - Off State | 1800V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 500A |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 785A |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 250mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 18000A, 20000A |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 300mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 130°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | POW-R-BLOK™ Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LDR31850 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LDR31850-FT |
VS-VSKU26/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU26/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU56/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C4
Intel
EP3SL70F484I4LN
Intel
EP3SL340H1152C2N
Intel
XC2VP50-6FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2-50E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EQC208-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C2L
Intel