casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Tiristori - SCRs - Moduli / LD431850
codice articolo del costruttore | LD431850 |
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Numero di parte futuro | FT-LD431850 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LD431850 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Struttura | Series Connection - All SCRs |
Numero di SCR, diodi | 2 SCRs |
Voltaggio - Off State | 1.8kV |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 900A |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 3V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 16300A, 17000A |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 130°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | POW-R-BLOK™ Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LD431850 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LD431850-FT |
VS-T90RIA20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T90RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T90RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T90RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT56/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH91/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-P105W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-P101
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-P101KW
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-P101W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP40-6FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP4CE6E22C8LN
Intel
10CL010YM164I7G
Intel