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codice articolo del costruttore | LD1-2R2-R |
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Numero di parte futuro | FT-LD1-2R2-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LD |
LD1-2R2-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.22A |
Corrente - Saturazione | 2.76A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 47 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.177" L x 0.157" W (4.50mm x 4.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.126" (3.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LD1-2R2-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LD1-2R2-R-FT |
SD3814-150-R
Eaton - Electronics Division
SD3814-151-R
Eaton - Electronics Division
SD3814-1R2-R
Eaton - Electronics Division
SD3814-1R5-R
Eaton - Electronics Division
SD3814-220-R
Eaton - Electronics Division
SD3814-221-R
Eaton - Electronics Division
SD3814-2R2-R
Eaton - Electronics Division
SD3814-330-R
Eaton - Electronics Division
SD3814-331-R
Eaton - Electronics Division
SD3814-3R3-R
Eaton - Electronics Division
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation