casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / LBS10-13
codice articolo del costruttore | LBS10-13 |
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Numero di parte futuro | FT-LBS10-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LBS10-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Flat Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-DFN5564-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBS10-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LBS10-13-FT |
DBA100G
ON Semiconductor
DBA100G-K15
ON Semiconductor
DBA150G
ON Semiconductor
DBA20G
ON Semiconductor
DBA20G-K15
ON Semiconductor
DBA250G
ON Semiconductor
DBA40G
ON Semiconductor
DBA40G-K15
ON Semiconductor
DBA40G-K20
ON Semiconductor
DBA500G
ON Semiconductor
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel