casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / LBR2012T470M
codice articolo del costruttore | LBR2012T470M |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-LBR2012T470M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LB, R Type |
LBR2012T470M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 47µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 75mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.7 Ohm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 11MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.52MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.057" (1.45mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBR2012T470M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LBR2012T470M-FT |
LBM2016T2R2JV
Taiyo Yuden
LBM2016T2R7JV
Taiyo Yuden
LBM2016T330J
Taiyo Yuden
LBM2016T330JV
Taiyo Yuden
LBM2016T390J
Taiyo Yuden
LBM2016T390JV
Taiyo Yuden
LBM2016T3R3J
Taiyo Yuden
LBM2016T3R3JV
Taiyo Yuden
LBM2016T3R9J
Taiyo Yuden
LBM2016T3R9JV
Taiyo Yuden
EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel