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codice articolo del costruttore | LBR2012T1R0M |
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Numero di parte futuro | FT-LBR2012T1R0M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LB, R Type |
LBR2012T1R0M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 400mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 91 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 100MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.057" (1.45mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBR2012T1R0M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LBR2012T1R0M-FT |
CBC2016T680M
Taiyo Yuden
CBC2016T6R8M
Taiyo Yuden
LB2016T100K
Taiyo Yuden
LB2016T101K
Taiyo Yuden
LB2016T101KV
Taiyo Yuden
LB2016T101M
Taiyo Yuden
LB2016T150K
Taiyo Yuden
LB2016T150M
Taiyo Yuden
LB2016T1R0M
Taiyo Yuden
LB2016T1R0MV
Taiyo Yuden
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel