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codice articolo del costruttore | LBR2012T100M |
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Numero di parte futuro | FT-LBR2012T100M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LB, R Type |
LBR2012T100M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 150mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 360 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 32MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.52MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.057" (1.45mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBR2012T100M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LBR2012T100M-FT |
LB2016T6R8M
Taiyo Yuden
LBC2016T101K
Taiyo Yuden
LBC2016T101M
Taiyo Yuden
LBC2016T150K
Taiyo Yuden
LBC2016T150M
Taiyo Yuden
LBC2016T1R0M
Taiyo Yuden
LBC2016T1R0MV
Taiyo Yuden
LBC2016T1R5M
Taiyo Yuden
LBC2016T220K
Taiyo Yuden
LBC2016T220M
Taiyo Yuden
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel