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codice articolo del costruttore | LBR2012T100M |
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Numero di parte futuro | FT-LBR2012T100M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LB, R Type |
LBR2012T100M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 150mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 360 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 32MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.52MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.057" (1.45mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBR2012T100M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LBR2012T100M-FT |
LB2016T6R8M
Taiyo Yuden
LBC2016T101K
Taiyo Yuden
LBC2016T101M
Taiyo Yuden
LBC2016T150K
Taiyo Yuden
LBC2016T150M
Taiyo Yuden
LBC2016T1R0M
Taiyo Yuden
LBC2016T1R0MV
Taiyo Yuden
LBC2016T1R5M
Taiyo Yuden
LBC2016T220K
Taiyo Yuden
LBC2016T220M
Taiyo Yuden
EP2C5T144C8N
Intel
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
AT40K05-2RQC
Microchip Technology
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
LFE2M20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3LG
Intel
EP2AGX65CU17C6ES
Intel