casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / LAV35VB271J
codice articolo del costruttore | LAV35VB271J |
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Numero di parte futuro | FT-LAV35VB271J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, V Type |
LAV35VB271J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 270µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 105mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 11 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 796kHz |
Frequenza - Autorisonante | 4.6MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 796kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.236" Dia (6.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.315" (8.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAV35VB271J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LAV35VB271J-FT |
LAN02TAR18K
Taiyo Yuden
LAN02TAR22K
Taiyo Yuden
LAN02TAR27K
Taiyo Yuden
LAN02TAR33K
Taiyo Yuden
LAN02TAR39K
Taiyo Yuden
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Taiyo Yuden
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Taiyo Yuden
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Taiyo Yuden
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Taiyo Yuden
LAP02KR100K
Taiyo Yuden
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
Intel
10M25DAF256I7P
Intel
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Intel
10M04SCU169C8G
Intel
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Intel
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Intel