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codice articolo del costruttore | LAV35VB151J |
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Numero di parte futuro | FT-LAV35VB151J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, V Type |
LAV35VB151J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 150µH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 130mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 5 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 796kHz |
Frequenza - Autorisonante | 6.2MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 796kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.236" Dia (6.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.315" (8.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAV35VB151J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LAV35VB151J-FT |
LAN02TA471J
Taiyo Yuden
LAN02TA4R7J
Taiyo Yuden
LAN02TA560J
Taiyo Yuden
LAN02TA5R6J
Taiyo Yuden
LAN02TA680J
Taiyo Yuden
LAN02TA6R8J
Taiyo Yuden
LAN02TA820J
Taiyo Yuden
LAN02TA8R2J
Taiyo Yuden
LAN02TAR12K
Taiyo Yuden
LAN02TAR15K
Taiyo Yuden
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel