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codice articolo del costruttore | LAL03TBR22M |
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Numero di parte futuro | FT-LAL03TBR22M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, L Type |
LAL03TBR22M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 220nH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 400mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 400 mOhm Max |
Q @ Freq | 35 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 450MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03TBR22M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LAL03TBR22M-FT |
LAL03NA6R8K
Taiyo Yuden
LAL03NA820K
Taiyo Yuden
LAL03NA821K
Taiyo Yuden
LAL03NA8R2K
Taiyo Yuden
LAL03NAR22M
Taiyo Yuden
LAL03NAR27M
Taiyo Yuden
LAL03NAR33M
Taiyo Yuden
LAL03NAR39M
Taiyo Yuden
LAL03NAR47M
Taiyo Yuden
LAL03NAR56M
Taiyo Yuden
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel