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codice articolo del costruttore | LAL03NA1R5M |
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Numero di parte futuro | FT-LAL03NA1R5M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, L Type |
LAL03NA1R5M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1.5µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 250mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 2.52MHz |
Frequenza - Autorisonante | 131MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03NA1R5M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LAL03NA1R5M-FT |
LAL02VAR33K
Taiyo Yuden
LAL02VAR39K
Taiyo Yuden
LAL02VAR47K
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ICE40HX1K-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU095-1FFVC1517I
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XC3S200-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
APA300-FGG256A
Microsemi Corporation
APA600-FGG256A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152I4N
Intel
XC4010E-4HQ208C
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