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codice articolo del costruttore | LAL02VD1R2K |
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Numero di parte futuro | FT-LAL02VD1R2K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | LA, L Type |
LAL02VD1R2K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1.2µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 260mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 900 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 7.96MHz |
Frequenza - Autorisonante | 110MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.091" Dia x 0.134" L (2.30mm x 3.40mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL02VD1R2K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LAL02VD1R2K-FT |
LAL02NA4R7K
Taiyo Yuden
LAL02NA560K
Taiyo Yuden
LAL02NA5R6K
Taiyo Yuden
LAL02NA680K
Taiyo Yuden
LAL02NA6R8K
Taiyo Yuden
LAL02NA820K
Taiyo Yuden
LAL02NA8R2K
Taiyo Yuden
LAL02NAR22K
Taiyo Yuden
LAL02NAR27K
Taiyo Yuden
LAL02NAR33K
Taiyo Yuden
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel