codice articolo del costruttore | L614F |
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Numero di parte futuro | FT-L614F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
L614F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Struttura | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) |
Numero di SCR, diodi | 2 SCRs, 2 Diodes |
Voltaggio - Off State | 1.2kV |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | - |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 3V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 100mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 600A @ 60Hz |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L614F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | L614F-FT |
IRKT136/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT142/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT142/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT142/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT142/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT162/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT162/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT162/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1600E-4FGG400C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG676C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EBC600-3
Intel
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
EP4S100G5H40I3N
Intel
5SGXEA7H1F35C2
Intel
A40MX04-PQG100I
Microsemi Corporation
EP2S130F1508C3
Intel