codice articolo del costruttore | L612F |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-L612F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
L612F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Struttura | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) |
Numero di SCR, diodi | 2 SCRs, 2 Diodes |
Voltaggio - Off State | 600V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | - |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 3V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 100mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 600A @ 60Hz |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L612F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | L612F-FT |
TD500N16KOFTIMHPSA1
Infineon Technologies
TD500N18KOFHPSA2
Infineon Technologies
TD570N16KOFHPSA2
Infineon Technologies
TD600N16KOFTIMHPSA1
Infineon Technologies
TT500N16KOFTIMHPSA1
Infineon Technologies
TT280N16SOFHPSA1
Infineon Technologies
TT160N16SOFHPSA1
Infineon Technologies
STT1400N16P55XPSA1
Infineon Technologies
STT1900N16P55XPSA1
Infineon Technologies
STT2200N16P55XPSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-640ZE-2TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3SD1800A-4FGG676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ176
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-PLG68M
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50CF23C8
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XCKU040-2SFVA784E
Xilinx Inc.
A54SX08A-FGG144A
Microsemi Corporation