codice articolo del costruttore | L513 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-L513 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
L513 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Struttura | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) |
Numero di SCR, diodi | 2 SCRs, 2 Diodes |
Voltaggio - Off State | 800V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | - |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 3V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 100mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 300A @ 60Hz |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L513 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | L513-FT |
IRKT106/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT142/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT142/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT142/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT142/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP1C3T100I7N
Intel
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA9N3F45C4N
Intel
EP1AGX90EF1152C6N
Intel
EP3SL340H1152C4
Intel
XC5VLX30-1FFG676CES
Xilinx Inc.
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG100
Microsemi Corporation
10AX090N4F40I3SG
Intel
5AGXBB5D4F35C4N
Intel