codice articolo del costruttore | L512 |
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Numero di parte futuro | FT-L512 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
L512 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Struttura | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) |
Numero di SCR, diodi | 2 SCRs, 2 Diodes |
Voltaggio - Off State | 600V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | - |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 3V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 100mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 300A @ 60Hz |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L512 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | L512-FT |
IRKT106/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT106/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT142/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT142/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT142/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF6024ATC144-2
Intel
XC3S50A-4VQ100I
Xilinx Inc.
AGL030V5-CSG81
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C4LN
Intel
EP3SL70F484I4N
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
EP4SE530H40I4N
Intel
M1AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780I3
Intel