codice articolo del costruttore | L413F |
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Numero di parte futuro | FT-L413F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
L413F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Struttura | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) |
Numero di SCR, diodi | 2 SCRs, 2 Diodes |
Voltaggio - Off State | 600V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 100A |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 22A |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 100mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | - |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 100mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L413F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | L413F-FT |
VCC2X105-12IO7
IXYS
VCC2X105-14IO7
IXYS
VCC2X105-16IO7
IXYS
VCC2X105-18IO7
IXYS
VCD105-08IO7
IXYS
VCD105-12IO7
IXYS
VCD105-14IO7
IXYS
VCD105-16IO7
IXYS
VCD105-18IO7
IXYS
VCO180-08IO7
IXYS
XCS05XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V5-FG484I
Microsemi Corporation
AGLE600V5-FG256I
Microsemi Corporation
10CX105YF780E5G
Intel
5SEEBH40C2LN
Intel
XC5VFX70T-1FFG665CES
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6U19C7N
Intel