codice articolo del costruttore | L412F |
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Numero di parte futuro | FT-L412F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
L412F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Struttura | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) |
Numero di SCR, diodi | 2 SCRs, 2 Diodes |
Voltaggio - Off State | 600V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 100A |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 22A |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 100mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | - |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 100mA |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L412F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | L412F-FT |
IRKT106/12A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT106/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT106/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT142/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT142/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
XA6SLX75T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484
Microsemi Corporation
ICE40LP640-SWG16TR
Lattice Semiconductor Corporation
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXMA7H3F35I4N
Intel
XC2VP50-5FF1152C
Xilinx Inc.
XA6SLX16-2CSG324Q
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQG160I
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35I3LN
Intel