codice articolo del costruttore | L314F |
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Numero di parte futuro | FT-L314F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
L314F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Struttura | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) |
Numero di SCR, diodi | 2 SCRs, 2 Diodes |
Voltaggio - Off State | 1.2kV |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | - |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 100mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 2250A @ 60Hz |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L314F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | L314F-FT |
IRKT105/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT106/12A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT106/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT106/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT142/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K40AL-1BQC
Microchip Technology
EP1K30TI144-2N
Intel
XC6SLX75-2FG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FGG900I
Xilinx Inc.
XC4VLX80-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ160
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180DF29C3
Intel
EP20K60EQC208-2XN
Intel