codice articolo del costruttore | L313F |
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Numero di parte futuro | FT-L313F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
L313F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Struttura | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) |
Numero di SCR, diodi | 2 SCRs, 2 Diodes |
Voltaggio - Off State | 800V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | - |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 100mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 2250A @ 60Hz |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L313F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | L313F-FT |
IRKT105/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT105/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT106/12A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT106/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT106/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-640ZE-2TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3SD1800A-4FGG676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ176
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-PLG68M
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50CF23C8
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XCKU040-2SFVA784E
Xilinx Inc.
A54SX08A-FGG144A
Microsemi Corporation