codice articolo del costruttore | L312F |
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Numero di parte futuro | FT-L312F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
L312F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Struttura | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) |
Numero di SCR, diodi | 2 SCRs, 2 Diodes |
Voltaggio - Off State | 600V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | - |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 100mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 2250A @ 60Hz |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L312F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | L312F-FT |
STT1400N16P55XPSA1
Infineon Technologies
STT1900N16P55XPSA1
Infineon Technologies
STT2200N16P55XPSA1
Infineon Technologies
STT800N16P55XPSA1
Infineon Technologies
TZ740N22KOFB1HPSA2
Infineon Technologies
TZ800N18KOFB1HPSA2
Infineon Technologies
TZ810N22KOFB01HPSA1
Infineon Technologies
TZ810N22KOFTIMHPSA1
Infineon Technologies
TZ860N16KOFTIMHPSA1
Infineon Technologies
TZ740N22KOFTIMHPSA1
Infineon Technologies
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
XA6SLX75T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484
Microsemi Corporation
ICE40LP640-SWG16TR
Lattice Semiconductor Corporation
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXMA7H3F35I4N
Intel
XC2VP50-5FF1152C
Xilinx Inc.
XA6SLX16-2CSG324Q
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQG160I
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35I3LN
Intel