codice articolo del costruttore | L311 |
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Numero di parte futuro | FT-L311 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
L311 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Struttura | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) |
Numero di SCR, diodi | 2 SCRs, 2 Diodes |
Voltaggio - Off State | 400V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | - |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 100mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 2250A @ 60Hz |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L311 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | L311-FT |
IRKT105/12A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT105/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT105/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT106/12A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT106/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT106/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K30ETC144-1N
Intel
M1AGL1000V2-FG484
Microsemi Corporation
A42MX16-FPQG208
Microsemi Corporation
AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
EP3SL340H1152C4LN
Intel
EP4SE530H35I4N
Intel
XC6VLX365T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
EP4CGX150DF31C7N
Intel