codice articolo del costruttore | L311 |
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Numero di parte futuro | FT-L311 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
L311 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Struttura | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) |
Numero di SCR, diodi | 2 SCRs, 2 Diodes |
Voltaggio - Off State | 400V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | - |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | - |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 100mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 2250A @ 60Hz |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L311 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | L311-FT |
IRKT105/12A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT105/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT105/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT106/12A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT106/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT106/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQG80
Microsemi Corporation
XC4005E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F27C7N
Intel
10M40DAF484I7G
Intel
5SGXEABK1H40C2LN
Intel
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F35C4N
Intel
EP1C20F324I7
Intel
EP1SGX40GF1020I6N
Intel