casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSH127TM
codice articolo del costruttore | KSH127TM |
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Numero di parte futuro | FT-KSH127TM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSH127TM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
Potenza - Max | 1.75W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSH127TM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSH127TM-FT |
BCX5316E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX5316E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCX53E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX5410E6327
Infineon Technologies
BCX5516E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCX55E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX5610H6327XTSA1
Infineon Technologies
BCX5616E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCX5616E6433HTMA1
Infineon Technologies
BCX56E6327HTSA1
Infineon Technologies
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel