casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSD1616GTA
codice articolo del costruttore | KSD1616GTA |
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Numero di parte futuro | FT-KSD1616GTA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSD1616GTA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
Potenza - Max | 750mW |
Frequenza - Transizione | 160MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSD1616GTA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSD1616GTA-FT |
BF423ZL1
ON Semiconductor
BF423ZL1G
ON Semiconductor
BSR50_D74Z
ON Semiconductor
BSR50_J35Z
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FJN13003TA
ON Semiconductor
FJN3301RTA
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FJN3303TA
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FJN5471TA
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FJN965TA
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FPN560A_D26Z
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XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC2S15-6VQ100C
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XCS10-3VQ100C
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M2GL025-1FCSG325
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XC7S100-2FGGA484I
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A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
EP1S25F780I6N
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EP20K400BC652-1
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EP2S180F1020I4
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