casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSD1616GBU
codice articolo del costruttore | KSD1616GBU |
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Numero di parte futuro | FT-KSD1616GBU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSD1616GBU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 50mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
Potenza - Max | 750mW |
Frequenza - Transizione | 160MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSD1616GBU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSD1616GBU-FT |
FJN3301RBU
ON Semiconductor
FJN3303BU
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FJN5471BU
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FJN5471PWD
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FJN965BU
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FJNS7565BU
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FPN560
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FPN560A
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KS3302BU
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XC6SLX150-N3CSG484C
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XC2VP50-7FFG1517C
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XC6VLX75T-L1FFG784I
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LFXP2-17E-6FN484I
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