casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSD1021GBU
codice articolo del costruttore | KSD1021GBU |
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Numero di parte futuro | FT-KSD1021GBU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSD1021GBU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 130MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSD1021GBU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSD1021GBU-FT |
KSE13003ASTU
ON Semiconductor
KSE13003H1AS
ON Semiconductor
KSE13003H2AS
ON Semiconductor
KSE13003H3ASTU
ON Semiconductor
KSE170S
ON Semiconductor
KSE170STU
ON Semiconductor
KSE171STU
ON Semiconductor
KSE172STU
ON Semiconductor
KSE180S
ON Semiconductor
KSE181STU
ON Semiconductor
AT40K10LV-3BQC
Microchip Technology
XC3S400A-5FG400C
Xilinx Inc.
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35I5N
Intel
EPF8282ALC84-4N
Intel
EPF8452AQC160-4
Intel
EP4SGX180FF35I3
Intel