casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSC5402DTTU
codice articolo del costruttore | KSC5402DTTU |
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Numero di parte futuro | FT-KSC5402DTTU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSC5402DTTU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 450V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 200mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 6 @ 1A, 1V |
Potenza - Max | 50W |
Frequenza - Transizione | 11MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSC5402DTTU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSC5402DTTU-FT |
TIP33CG
ON Semiconductor
TIP142G
ON Semiconductor
TIP140G
ON Semiconductor
TIP145G
ON Semiconductor
KSD1408YTU
ON Semiconductor
FJPF3305H2TU
ON Semiconductor
KSB1015YTU
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KSC3296YTU
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KSD1588YTU
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KSB1017YTU
ON Semiconductor
AGL030V2-QNG68
Microsemi Corporation
M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
XC3090L-8PC84C
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XC4010E-4HQ208I
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XC6VHX255T-1FFG1155C
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XC4VSX55-11FFG1148C
Xilinx Inc.
5AGXFB7H6F35C6N
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EP2AGX95EF35I3N
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EP3C55F780C8N
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EP20K200EQC240-3N
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