casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSC2669OBU
codice articolo del costruttore | KSC2669OBU |
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Numero di parte futuro | FT-KSC2669OBU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSC2669OBU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 2mA, 12V |
Potenza - Max | 200mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSC2669OBU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSC2669OBU-FT |
KSC2688YSTSSTU
ON Semiconductor
KSC2688YSTU
ON Semiconductor
KSC2690AOS
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KSC2690AOSTSTU
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KSC2690AYSTSTU
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A1010B-1VQ80I
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EX128-PTQG100I
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XC2V500-4FGG456C
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EP4CE75F23I8LN
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10CL006YE144C8G
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XC6VLX240T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation