casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSC2383OTA
codice articolo del costruttore | KSC2383OTA |
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Numero di parte futuro | FT-KSC2383OTA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSC2383OTA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 200mA, 5V |
Potenza - Max | 900mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSC2383OTA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSC2383OTA-FT |
CPH6223-TL-E
ON Semiconductor
CPH6153-TL-E
ON Semiconductor
CPH6123-TL-E
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CPH6121-TL-E
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BC546ABU
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KSC1008YBU
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KSP13BU
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PN2222ABU
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SS8050CBU
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SS8050DBU
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AT6010A-4AC
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XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FGG484
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AGL600V2-FGG256
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3EQC
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EP4CGX75CF23C6
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EP2SGX60EF1152C3N
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10AX027E1F27E1HG
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