casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSC1009OBU
codice articolo del costruttore | KSC1009OBU |
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Numero di parte futuro | FT-KSC1009OBU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSC1009OBU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 700mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 20mA, 200mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 2V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | 50MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSC1009OBU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSC1009OBU-FT |
BC559ABU
ON Semiconductor
BC559B
ON Semiconductor
BC559BBU
ON Semiconductor
BC559BU
ON Semiconductor
BC559C,116
NXP USA Inc.
BC559CBU
ON Semiconductor
BC560
ON Semiconductor
BC560ABU
ON Semiconductor
BC560BBU
ON Semiconductor
BC560BU
ON Semiconductor
XC4005XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-SWG25TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CEFA7F27C6N
Intel
EP4CE6E22I8LN
Intel
5CGXFC5F6M11C6N
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EP3SL110F1152C4LN
Intel
5AGXBB3D4F35I5G
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5AGXFA7H4F35I3N
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