casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSB811OTA
codice articolo del costruttore | KSB811OTA |
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Numero di parte futuro | FT-KSB811OTA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSB811OTA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 110MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSB811OTA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSB811OTA-FT |
KSC2688OS
ON Semiconductor
KSC2688OSTU
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XC6SLX100-3FG484I
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A3P1000-2PQG208
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5SGXEA5N2F45C2LN
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Xilinx Inc.
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10AX057H2F34E1SG
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