casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSB810YTA
codice articolo del costruttore | KSB810YTA |
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Numero di parte futuro | FT-KSB810YTA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSB810YTA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 700mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 70mA, 700mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 350mW |
Frequenza - Transizione | 160MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSB810YTA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSB810YTA-FT |
KSC2682OS
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KSC2682OSTU
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