casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSB564AGTA
codice articolo del costruttore | KSB564AGTA |
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Numero di parte futuro | FT-KSB564AGTA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSB564AGTA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | 110MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSB564AGTA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSB564AGTA-FT |
BC638ZL1
ON Semiconductor
BC638ZL1G
ON Semiconductor
BC639-16ZL1
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BC639-16ZL1G
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BC63916_D26Z
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BC63916_J35Z
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BC639RL1
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BC639RL1G
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BC639ZL1
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BC639ZL1G
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AT40K10LV-3BQC
Microchip Technology
XC3S400A-5FG400C
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XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
5SGSED8N2F45I2
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5SGSMD6N3F45C2N
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LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35I5N
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EPF8452AQC160-4
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EP4SGX180FF35I3
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