casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSB1023TU
codice articolo del costruttore | KSB1023TU |
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Numero di parte futuro | FT-KSB1023TU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSB1023TU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 4mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 3A, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSB1023TU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSB1023TU-FT |
BDP950H6327XTSA1
Infineon Technologies
BDP953E6327HTSA1
Infineon Technologies
BDP953H6327XTSA1
Infineon Technologies
BDP954E6327HTSA1
Infineon Technologies
BDP954H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFN38E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFN38H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFN39E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFN39H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP 51 E6327
Infineon Technologies
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel