casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSB1023TU
codice articolo del costruttore | KSB1023TU |
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Numero di parte futuro | FT-KSB1023TU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSB1023TU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 4mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 3A, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSB1023TU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSB1023TU-FT |
BDP950H6327XTSA1
Infineon Technologies
BDP953E6327HTSA1
Infineon Technologies
BDP953H6327XTSA1
Infineon Technologies
BDP954E6327HTSA1
Infineon Technologies
BDP954H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFN38E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFN38H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFN39E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFN39H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP 51 E6327
Infineon Technologies
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel