casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / KSB1023TU
codice articolo del costruttore | KSB1023TU |
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Numero di parte futuro | FT-KSB1023TU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KSB1023TU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 4mA, 2A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 3A, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSB1023TU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KSB1023TU-FT |
BDP950H6327XTSA1
Infineon Technologies
BDP953E6327HTSA1
Infineon Technologies
BDP953H6327XTSA1
Infineon Technologies
BDP954E6327HTSA1
Infineon Technologies
BDP954H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFN38E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFN38H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFN39E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFN39H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP 51 E6327
Infineon Technologies
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel