casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / KBU605G T0
codice articolo del costruttore | KBU605G T0 |
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Numero di parte futuro | FT-KBU605G T0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KBU605G T0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, KBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | KBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBU605G T0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KBU605G T0-FT |
GBPC3501W-G
Comchip Technology
GBPC3502-G
Comchip Technology
GBPC3502W-G
Comchip Technology
GBPC3504-G
Comchip Technology
GBPC3504W-G
Comchip Technology
GBPC50005-G
Comchip Technology
GBPC50005W-G
Comchip Technology
GBPC5001W-G
Comchip Technology
GBPC5002-G
Comchip Technology
GBPC5002W-G
Comchip Technology
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel