casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / KBU3508-G
codice articolo del costruttore | KBU3508-G |
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Numero di parte futuro | FT-KBU3508-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KBU3508-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 17.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, KBU |
Pacchetto dispositivo fornitore | KBU |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBU3508-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KBU3508-G-FT |
SCBR2
Semtech Corporation
SCBR4M
Semtech Corporation
SET111423
Semtech Corporation
SET111424
Semtech Corporation
SET121223
Semtech Corporation
CD-MBL206S
Bourns Inc.
GBU25KH
Diodes Incorporated
BR1005-BP
Micro Commercial Co
BR101-BP
Micro Commercial Co
BR1010-BP
Micro Commercial Co
LFXP3C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG256I
Microsemi Corporation
XC4020XL-09HT176C
Xilinx Inc.
EP3C55F484C6N
Intel
10M02SCE144C7G
Intel
5AGXMA3D4F27C4N
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34I1SG
Intel