casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / KBP308G
codice articolo del costruttore | KBP308G |
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Numero di parte futuro | FT-KBP308G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KBP308G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, KBP |
Pacchetto dispositivo fornitore | KBP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBP308G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KBP308G-FT |
BR1004-G
Comchip Technology
BR1010-G
Comchip Technology
BR25005-G
Comchip Technology
BR2504-G
Comchip Technology
BR2510-G
Comchip Technology
BR35005-G
Comchip Technology
BR3504-G
Comchip Technology
BR3510-G
Comchip Technology
BR50005-G
Comchip Technology
BR5005L-G
Comchip Technology
XCS20XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208
Microsemi Corporation
EP20K160EFI484-2X
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
EP3C5E144C7
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40I3LG
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel