casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / KBP210G-G
codice articolo del costruttore | KBP210G-G |
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Numero di parte futuro | FT-KBP210G-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KBP210G-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, KBP |
Pacchetto dispositivo fornitore | KBP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBP210G-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KBP210G-G-FT |
KBP201-BP
Micro Commercial Co
KBP202-BP
Micro Commercial Co
KBP204-BP
Micro Commercial Co
KBP208-BP
Micro Commercial Co
KBP210-BP
Micro Commercial Co
BAS3007ARPPE6327HTSA1
Infineon Technologies
BGX50AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS4002ARPPE6327HTSA1
Infineon Technologies
ZXSBMR16PT8TA
Diodes Incorporated
PBU1007
Diodes Incorporated
LCMXO2280C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FGG676C
Xilinx Inc.
XC4005E-1PQ208C
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQ208
Microsemi Corporation
A3P030-VQ100
Microsemi Corporation
10CL016ZU484I8G
Intel
10AX027H4F34I3SG
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation