casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / KBP202GTB
codice articolo del costruttore | KBP202GTB |
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Numero di parte futuro | FT-KBP202GTB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KBP202GTB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-ESIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | KBP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBP202GTB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KBP202GTB-FT |
GBJ610TB
SMC Diode Solutions
GBJ1506TB
SMC Diode Solutions
GBJ1006TB
SMC Diode Solutions
GBJ2510TB
SMC Diode Solutions
GBJ1510TB
SMC Diode Solutions
GBJ10005TB
SMC Diode Solutions
GBJ1001TB
SMC Diode Solutions
GBJ1002TB
SMC Diode Solutions
GBJ1004TB
SMC Diode Solutions
GBJ1008TB
SMC Diode Solutions
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
A40MX04-3PLG68
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6N
Intel
10AX022E3F29E2LG
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FF1152I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC10E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation