casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / KBP201GTB
codice articolo del costruttore | KBP201GTB |
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Numero di parte futuro | FT-KBP201GTB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KBP201GTB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-ESIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | KBP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBP201GTB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KBP201GTB-FT |
GBJ3506TB
SMC Diode Solutions
GBJ610TB
SMC Diode Solutions
GBJ1506TB
SMC Diode Solutions
GBJ1006TB
SMC Diode Solutions
GBJ2510TB
SMC Diode Solutions
GBJ1510TB
SMC Diode Solutions
GBJ10005TB
SMC Diode Solutions
GBJ1001TB
SMC Diode Solutions
GBJ1002TB
SMC Diode Solutions
GBJ1004TB
SMC Diode Solutions
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
EP1K50TI144-2
Intel
XCV200-6FG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-1BG272I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
EP3C5F256I7
Intel
XC4006E-4PC84I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation