codice articolo del costruttore | KBP10M |
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Numero di parte futuro | FT-KBP10M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KBP10M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 165°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, KBPM |
Pacchetto dispositivo fornitore | KBPM |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBP10M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KBP10M-FT |
KBPC1504T
GeneSiC Semiconductor
KBPC1506T
GeneSiC Semiconductor
KBPC1508T
GeneSiC Semiconductor
KBPC1510T
GeneSiC Semiconductor
KBPC25005T
GeneSiC Semiconductor
KBPC25010T
GeneSiC Semiconductor
KBPC2501T
GeneSiC Semiconductor
KBPC2502T
GeneSiC Semiconductor
KBPC2504T
GeneSiC Semiconductor
KBPC2506T
GeneSiC Semiconductor
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45C2N
Intel
5SGXEBBR3H43I3LN
Intel
A42MX24-3PQ160
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F31C5N
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP20K100EBC356-3
Intel
EP4SGX530HH35C2
Intel