codice articolo del costruttore | KBP10M |
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Numero di parte futuro | FT-KBP10M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KBP10M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 165°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, KBPM |
Pacchetto dispositivo fornitore | KBPM |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBP10M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KBP10M-FT |
KBPC1504T
GeneSiC Semiconductor
KBPC1506T
GeneSiC Semiconductor
KBPC1508T
GeneSiC Semiconductor
KBPC1510T
GeneSiC Semiconductor
KBPC25005T
GeneSiC Semiconductor
KBPC25010T
GeneSiC Semiconductor
KBPC2501T
GeneSiC Semiconductor
KBPC2502T
GeneSiC Semiconductor
KBPC2504T
GeneSiC Semiconductor
KBPC2506T
GeneSiC Semiconductor
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484C8
Intel
EP1K100FI256-2N
Intel
5SGXMA7N2F45C3
Intel
5SGXMA7K3F35C4
Intel
A3P125-2FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45E1SG
Intel
EP4SGX180FF35I4N
Intel