codice articolo del costruttore | KBP10M |
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Numero di parte futuro | FT-KBP10M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KBP10M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 165°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, KBPM |
Pacchetto dispositivo fornitore | KBPM |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBP10M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KBP10M-FT |
KBPC1504T
GeneSiC Semiconductor
KBPC1506T
GeneSiC Semiconductor
KBPC1508T
GeneSiC Semiconductor
KBPC1510T
GeneSiC Semiconductor
KBPC25005T
GeneSiC Semiconductor
KBPC25010T
GeneSiC Semiconductor
KBPC2501T
GeneSiC Semiconductor
KBPC2502T
GeneSiC Semiconductor
KBPC2504T
GeneSiC Semiconductor
KBPC2506T
GeneSiC Semiconductor
A1010B-PQG100I
Microsemi Corporation
APA600-BG456
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
EP4CE15E22I7
Intel
XC3090A-7PC84C
Xilinx Inc.
XC7K480T-2FF901C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-9FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19I7
Intel
EP4CE55F29I7
Intel