casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / KBP06M-BP
codice articolo del costruttore | KBP06M-BP |
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Numero di parte futuro | FT-KBP06M-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
KBP06M-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, KBPR |
Pacchetto dispositivo fornitore | KBPR |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KBP06M-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | KBP06M-BP-FT |
ABS26TR
SMC Diode Solutions
ABS10-G
Comchip Technology
ABS6-G
Comchip Technology
ABS6-HF
Comchip Technology
ABS10UTR
SMC Diode Solutions
ABS6TR
SMC Diode Solutions
ABS6UTR
SMC Diode Solutions
ABS22TR
SMC Diode Solutions
ABS24TR
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ABS28TR
SMC Diode Solutions
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel